惠普今天宣布將在2013年左右聯合Hynix共同生產以憶阻器技術為基礎的非易失性內存ReRAM產品，它帶來了比閃存更為低功耗以及更高的性能。高級研究員R. Stanley Williams披露了這一消息，并稱“數以百計的晶圓”已經誕生，最初版本將帶來較慢的速度級別，可以取代手機上的閃存產品，之后還有更快的東西出現。

　　不過惠普也指出，三星也有一個更強大的憶阻器設計團隊，因此公司的相關業務面臨挑戰。

　　2007年惠普公司資訊與量子系統實驗室(Information and Quantum Systems Lab)的研究人員，在R. Stanley Williams的領導下，成功研制了固態的憶阻器－它是由一片雙層的二氧化鈦(bi-level titanium dioxide)薄膜所形成，當電流通過時，其電阻值就會改變。固態的憶阻器的制造需要涉及物料的納米技術。這個憶阻器并不像其理論般涉及磁通量，或如電容器般儲存電荷，而是以化學技術來達至電阻隨電流歷史改變的性質。

　　三星集團卻有一項正申請專利的憶阻器，采用了類似惠普公司的技術。故此誰是憶阻器的創始人則有待澄清。

　　憶阻器（英語：memristor /ˈmɛmrɨstər/），又名記憶電阻（英語：memory resistors），是一種被動電子元件。憶阻器被認為是電路的第四種基本元件，僅次于電阻器、電容器及電感元件。

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