深紫外光傳輸用光纖（DUV）

目前固體激光器和氣體激光器研究的課題之一就是深紫外光領(lǐng)域（250nm）的激光器振蕩技術(shù)。在固體激光器領(lǐng)域，采用CLBO(CsLiB6O10)結(jié)晶的Nd:YAG激光器的四倍波(=266nm)、五倍波(=213nm)；在氣體激光器領(lǐng)域，F(xiàn)2(=157nm)，KY2(=148nm)，Ar2 （=126nm），而采用ArF的環(huán)氧樹脂激光器的振高波長=193nm等。

在半導體基片表面處理，在生物化學領(lǐng)域中對DNA的分析測試和化驗、在醫(yī)療領(lǐng)域內(nèi)對近視治療等應(yīng)用領(lǐng)域中，深紫外光都得到了極其廣泛的應(yīng)用。對能傳輸深紫外光的光纖開發(fā)工作也成為人所關(guān)注的重大技術(shù)課題。

從DUV光纖的損耗光譜化可以看出，在波長為=200nm時，傳輸損耗發(fā)生急聚變化，而在1240和1380nm處出現(xiàn)二個峰值，我們認為這是由OH的伸縮振動引起的吸收造成的。

相同的預(yù)制棒在拉絲過程中因拉絲條件不同，損耗光譜值也不同，DUV拉制過程中（當<220nm）拉絲速度為0.5m/分，爐溫為1780℃時，光纖損耗值最小，光使用波長為193nmArF激光源時，最小透過率約為60%/m。光纖的損耗是隨拉絲速度加快，爐溫升高而增加，在220nm波長處產(chǎn)生吸收增加，這種增加值是由E"中心引起的，屬拉絲工藝缺欠造在的。